Si微粒子を埋め込んだMOS構造の特性
dc.contributor.author | Kunimine, Kosuke / 國峯, 孝祐 | |
dc.date.accessioned | 2014-05-16T01:06:38Z | |
dc.date.available | 2014-05-16T01:06:38Z | |
dc.date.issued | 2006-03-23 | |
dc.description | 修士(工学), 2005, 基礎理工学専攻 | |
dc.identifier.uri | http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma_local/handle/10721/2052 | |
dc.language | ja | |
dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | |
dc.subject | Si微粒子 | ja |
dc.subject | MOS構造 | ja |
dc.subject | 半導体メモリ | ja |
dc.subject | nanocrystalline Si | en |
dc.subject | MOS structure | en |
dc.subject | memory | en |
dc.title | Si微粒子を埋め込んだMOS構造の特性 | en_US |
dc.title.alternative | Characteristics of metal-oxide-semiconductor structure with nanocrystalline Si | en_US |
dc.type | 学位論文 |
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