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1.3μm帯InGaAs/InGaP光通信用半導体レーザのための格子不整合系液相成長に関する研究

dc.contributor.authorHAYASHI, SHINTARO / 林, 真太郎
dc.date.accessioned2014-05-16T01:10:04Z
dc.date.available2014-05-16T01:10:04Z
dc.date.issued2010-03-23
dc.description修士(工学), 2009, 総合デザイン工学専攻
dc.identifier.urihttp://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma_local/handle/10721/4579
dc.publisher慶應義塾大学理工学研究科
dc.subject結晶成長ja
dc.subject液相成長法ja
dc.subject半導体レーザja
dc.subjectCrystal Growthen
dc.subjectLPE (Liquid Phase Epitaxy)en
dc.subjectSemiconductor Laseren
dc.title1.3μm帯InGaAs/InGaP光通信用半導体レーザのための格子不整合系液相成長に関する研究en_US
dc.title.alternativeA Study on the Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxial Growth for an 1.3 μm InGaAs/InGaP Semiconductor Laser for Optical Communicationsen_US
dc.type学位論文

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