高分解能フォトルミネッセンスによる天然シリコン基板上に成長された28Si同位体エピ膜の歪み測定
| dc.contributor.author | Uemura, Masafumi / 上村, 真史 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-05-16T01:05:36Z | |
| dc.date.available | 2014-05-16T01:05:36Z | |
| dc.date.issued | 2005-03-23 | en_US |
| dc.description | 修士（工学）, 2004, 基礎理工学専攻 | en_US |
| dc.identifier.uri | /sigma_local/handle/10721/1446 | |
| dc.language | jpn | en_US |
| dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | en_US |
| dc.subject | 同位体シリコン | ja |
| dc.subject | 格子定数 | ja |
| dc.subject | 歪み | ja |
| dc.subject | 高分解能フォトルミネッセンス | ja |
| dc.subject | isotopically pure silicon | en |
| dc.subject | lattice constant | en |
| dc.subject | strain high-resolution | en |
| dc.subject | photoluminescence | en |
| dc.title | 高分解能フォトルミネッセンスによる天然シリコン基板上に成長された28Si同位体エピ膜の歪み測定 | en_US |
| dc.title.alternative | High-resolution Photoluminescence Study of the Strain in the Isotopically Pure 28Si Epilayer Grown on natural Si | en_US |
| dc.type | 学位論文 | en_US |