フェムト秒レーザパルスを用いた化合物半導体の欠陥分布計測に関する研究
| dc.contributor.author | HORIUCHI, Kohei / 堀内, 浩平 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-05-16T01:05:53Z | |
| dc.date.available | 2014-05-16T01:05:53Z | |
| dc.date.issued | 2005-03-23 | en_US |
| dc.description | 修士（工学）, 2004, 総合デザイン工学専攻 | en_US |
| dc.identifier.uri | /sigma_local/handle/10721/1600 | |
| dc.language | jpn | en_US |
| dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | en_US |
| dc.subject | フェムト秒レーザパルス | ja |
| dc.subject | ポンプ・プローブ法 | ja |
| dc.subject | 化合物半導体 | ja |
| dc.subject | 欠陥分布 | ja |
| dc.subject | femtosecond laser pulse | en |
| dc.subject | pump-probe measurement | en |
| dc.subject | compound semiconductor | en |
| dc.subject | defect profile | en |
| dc.title | フェムト秒レーザパルスを用いた化合物半導体の欠陥分布計測に関する研究 | en_US |
| dc.title.alternative | Imaging of Defect Density Distribution in Compound Semiconductors using Femtosecond Laser Pulses | en_US |
| dc.type | 学位論文 | en_US |