配位子保護精密金属ナノクラスター単層膜のメモリデバイス動作の解明

dc.contributor.advisor	中嶋, 敦 / 教授
dc.contributor.author	YOKOYAMA, TAKAHO / 横山, 高穂
dc.date.accessioned	2018-11-16T03:56:41Z
dc.date.available	2018-11-16T03:56:41Z
dc.date.issued	2018-09-21
dc.description	修士（理学）, 2018, 基礎理工学専攻
dc.identifier.uri	/sigma_local/handle/10721/11294
dc.publisher	慶應義塾大学理工学研究科
dc.subject	金	ja
dc.subject	ナノクラスター	ja
dc.subject	Langmuir-Blodgett膜	ja
dc.subject	浮遊ゲートメモリー	ja
dc.subject	赤外反射吸収分光法	ja
dc.subject	Gold	en
dc.subject	Nanocluster	en
dc.subject	Langmuir-Blodgett film	en
dc.subject	Floating gate memory	en
dc.subject	Infra-red reflection absorption spectroscopy	en
dc.title	配位子保護精密金属ナノクラスター単層膜のメモリデバイス動作の解明
dc.title.alternative	Characterization of memory devices based on monolayer of precisely synthesized ligand protected metal nanoclusters
dc.type	学位論文

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