SiO2コンタクトホールエッチングにおけるチャージング発生メカニズムの解析
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Date
2011-03-23
Authors
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Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
修士（工学）, 2010, 総合デザイン工学専攻
Keywords
チャージング電圧, 2周波容量結合型プラズマ, SiO2コンタクトホール, Charging Voltage, Two-frequency Capacitively Coupled Plasma, SiO2 Contact Hole