GaN系半導体レーザ励起Pr3+ドープ固体レーザに関する研究

dc.contributor.authorHashimoto, Kohei / 橋本, 浩平en_US
dc.contributor.authorfulldescriptionHashimoto, Kohei / 橋本, 浩平 / ハシモト, コウヘイen_US
dc.date.accessioned2014-05-09T07:08:30Z
dc.date.available2014-05-09T07:08:30Z
dc.date.issued2008-09-02en_US
dc.description博士(工学), 2008, 総合デザイン工学en_US
dc.identifier.urihttp://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/2341
dc.publisher慶應義塾大学理工学研究科en_US
dc.titleGaN系半導体レーザ励起Pr3+ドープ固体レーザに関する研究en_US
dc.type学位論文en_US

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