4H-SiC中の転位のフォトルミネッセンス解析
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Date
2011-03-23
Authors
Journal Title
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Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
博士（工学）, 2012, 基礎理工学専攻
Keywords
フォトルミネッセンス, シリコンカーバイド, 照射促進転移すべり効果, Photoluminescence, Silicon carbide, Radiation-enhanced dislocation glide