水素化処理多結晶シリコンTFTの電気的ストレスによる劣化機構に関する研究
dc.contributor.author | Jeong, Yunsik / 鄭, 然植 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-05-09T07:06:37Z | |
dc.date.available | 2014-05-09T07:06:37Z | |
dc.date.issued | 2002-03-23 | en_US |
dc.description | 博士 (工学), 2001年度, 電気工学専攻 | en_US |
dc.identifier.uri | http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/1713 | |
dc.language | jpn | en_US |
dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | en_US |
dc.title | 水素化処理多結晶シリコンTFTの電気的ストレスによる劣化機構に関する研究 | en_US |
dc.title.alternative | Study on Degradation Mechanisms caused by Electrical Stress in Hydrogenated poly-Si TFT's | en_US |
dc.type | 学位論文 | en_US |