低温ポリシリコンTFTの電気的ストレス劣化特性に関する研究

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dc.contributor.authorToyota, Yoshiaki / 豊田, 善章en_US
dc.contributor.authorfulldescriptionToyota, Yoshiaki / 豊田, 善章 / トヨタ, ヨシアキen_US
dc.date.accessioned2014-05-09T07:08:46Z
dc.date.available2014-05-09T07:08:46Z
dc.date.issued2010-03-01en_US
dc.description博士（工学）, 2009, 総合デザイン工学en_US
dc.identifier.urihttp://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/2441
dc.publisher慶應義塾大学理工学研究科en_US
dc.subject低温ポリシリコンTFTja
dc.subjectCMOSインバータja
dc.subjectDAHCストレスja
dc.subjectNBTストレスja
dc.subjectLow temperatureen
dc.subjectPoly-Si TFTen
dc.subjectDAHC stressen
dc.subjectNBT stressen
dc.title低温ポリシリコンTFTの電気的ストレス劣化特性に関する研究en_US
dc.type学位論文en_US

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慶應義塾大学 理工学メディアセンター