フロロカーボンプラズマを用いた酸化膜エッチングプロセスの制御に関する研究
| dc.contributor.author | Tatsumi, Tetsuya / 辰巳, 哲也 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-05-09T07:06:31Z | |
| dc.date.available | 2014-05-09T07:06:31Z | |
| dc.date.issued | 2000-09-13 | en_US |
| dc.description | 博士 (工学), 2000年度, 電気工学専攻 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/1622 | |
| dc.language | jpn | en_US |
| dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | en_US |
| dc.title | フロロカーボンプラズマを用いた酸化膜エッチングプロセスの制御に関する研究 | en_US |
| dc.title.alternative | Research on control of the SiO2 etching process using fluorocarbon plasma | en_US |
| dc.type | 学位論文 | en_US |