MOS界面欠陥解析手法を利用したSiGeヘテロ構造中二次元電子ガスの移動度解析と向上
Loading...
Date
2019-03-23
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
修士（工学）, 2018, 基礎理工学専攻
Keywords
移動度, 二次元電子ガス, 絶縁膜, 界面欠陥, mobility, 2DEG, insulating layer, interface defect