MOS界面欠陥解析手法を利用したSiGeヘテロ構造中二次元電子ガスの移動度解析と向上
| dc.contributor.advisor | 伊藤, 公平 / 教授 | |
| dc.contributor.author | MATSUOKA, RYOTARO / 松岡, 諒太郎 | |
| dc.date.accessioned | 2019-09-26T23:36:07Z | |
| dc.date.available | 2019-09-26T23:36:07Z | |
| dc.date.issued | 2019-03-23 | |
| dc.description | 修士（工学）, 2018, 基礎理工学専攻 | |
| dc.identifier.uri | /sigma_local/handle/10721/11482 | |
| dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | |
| dc.subject | 移動度 | ja |
| dc.subject | 二次元電子ガス | ja |
| dc.subject | 絶縁膜 | ja |
| dc.subject | 界面欠陥 | ja |
| dc.subject | mobility | en |
| dc.subject | 2DEG | en |
| dc.subject | insulating layer | en |
| dc.subject | interface defect | en |
| dc.title | MOS界面欠陥解析手法を利用したSiGeヘテロ構造中二次元電子ガスの移動度解析と向上 | |
| dc.title.alternative | Mobility analysis and enhancement of 2DEG in SiGe hetero structure supported by MOS interface defects analysis method | |
| dc.type | 学位論文 |