二次元電子ガスモデルを組み込んだGaNパワーデバイスの性能解析
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Date
2015-09-21
Authors
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Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
修士（工学）, 2015, 総合デザイン工学専攻
Keywords
パワーデバイス, ガリウムナイトライド, 寄生容量, 二次元電子ガス, スイッチングスピード, power device, gallium nitride, parasitic capacitance, 2DEG, switching speed