二次元電子ガスモデルを組み込んだGaNパワーデバイスの性能解析

dc.contributor.advisor	中野, 誠彦 / 准教授
dc.contributor.author	LI, HANG / 李, 航
dc.date.accessioned	2015-12-18T07:00:16Z
dc.date.available	2015-12-18T07:00:16Z
dc.date.issued	2015-09-21
dc.description	修士（工学）, 2015, 総合デザイン工学専攻
dc.identifier.uri	/sigma_local/handle/10721/8878
dc.publisher	慶應義塾大学理工学研究科
dc.subject	パワーデバイス	ja
dc.subject	ガリウムナイトライド	ja
dc.subject	寄生容量	ja
dc.subject	二次元電子ガス	ja
dc.subject	スイッチングスピード	ja
dc.subject	power device	en
dc.subject	gallium nitride	en
dc.subject	parasitic capacitance	en
dc.subject	2DEG	en
dc.subject	switching speed	en
dc.title	二次元電子ガスモデルを組み込んだGaNパワーデバイスの性能解析
dc.title.alternative	Performance Analysis Of GaN Power Device With 2DEG Model
dc.type	学位論文

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