1.3μm帯InGaAs/InGaP半導体レーザのためのInGaAs仮想基板の結晶成長に関する研究
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Date
2011-03-23
Authors
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Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
修士（工学）, 2010, 総合デザイン工学専攻
Keywords
液相成長, 選択性エピタキシャル成長, III-V族化合物半導体, InGa系半導体結晶, Liquid phase epitaxy, Selective epitaxy, Semiconducting III-V materials, Semiconducting indium gallium phosphide