1.3μm帯InGaAs/InGaP半導体レーザのためのInGaAs仮想基板の結晶成長に関する研究
| dc.contributor.advisor | 髙橋, 信一 / 准教授 | |
| dc.contributor.author | MURATA, ERI / 村田, 絵里 | |
| dc.date.accessioned | 2014-05-16T01:13:05Z | |
| dc.date.available | 2014-05-16T01:13:05Z | |
| dc.date.issued | 2011-03-23 | |
| dc.description | 修士（工学）, 2010, 総合デザイン工学専攻 | |
| dc.identifier.uri | http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma_local/handle/10721/5533 | |
| dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | |
| dc.subject | 液相成長 | ja |
| dc.subject | 選択性エピタキシャル成長 | ja |
| dc.subject | III-V族化合物半導体 | ja |
| dc.subject | InGa系半導体結晶 | ja |
| dc.subject | Liquid phase epitaxy | en |
| dc.subject | Selective epitaxy | en |
| dc.subject | Semiconducting III-V materials | en |
| dc.subject | Semiconducting indium gallium phosphide | en |
| dc.title | 1.3μm帯InGaAs/InGaP半導体レーザのためのInGaAs仮想基板の結晶成長に関する研究 | |
| dc.title.alternative | Crystal Growth of the InGaAs virtual substrate for an 1.3μm InGaAs/InGaP Semiconductor Laser for Optical Communications | |
| dc.type | 学位論文 |