立方晶ワイドバンドギャップ半導体のピエゾ抵抗効果シミュレーション

dc.contributor.advisor	中野, 誠彦 / 准教授
dc.contributor.author	TAKAHASHI, NAOKI / 高橋, 直暉
dc.date.accessioned	2021-11-12T00:44:21Z
dc.date.available	2021-11-12T00:44:21Z
dc.date.issued	2021-03-23
dc.description	修士（工学）, 2020, 総合デザイン工学専攻
dc.identifier.uri	/sigma_local/handle/10721/12945
dc.language	ja
dc.publisher	慶應義塾大学理工学研究科
dc.subject	MEMS	ja
dc.subject	ピエゾ抵抗効果	ja
dc.subject	圧力センサ	ja
dc.subject	3C-SiC	ja
dc.subject	酸化ガリウム	ja
dc.subject	MEMS	en
dc.subject	Piezoresistive effect	en
dc.subject	Pressure sensor	en
dc.subject	3C-SiC	en
dc.subject	Ga2O3	en
dc.title	立方晶ワイドバンドギャップ半導体のピエゾ抵抗効果シミュレーション
dc.title.alternative	The piezoresistive effect simulation of the cubic wide bandgap semiconductors
dc.type	学位論文

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