その場ラマン分光法によるヒ化ガリウム基板表面の酸化過程の研究
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Date
2022-09-05
Authors
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Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
修士（理学）, 2022, 基礎理工学専攻
Keywords
ヒ化ガリウム, ラマン分光法, 化合物半導体, その場測定, 熱酸化, gallium arsenide, Raman spectroscopy, compound semiconductor, in situ measurement, thermal oxidation