その場ラマン分光法によるヒ化ガリウム基板表面の酸化過程の研究
| dc.contributor.advisor | 近藤, 寛 / 教授 | |
| dc.contributor.author | MURAKAMI, SHUNYA / 村上, 竣哉 | |
| dc.date.accessioned | 2023-08-25T06:57:32Z | |
| dc.date.available | 2023-08-25T06:57:32Z | |
| dc.date.issued | 2022-09-05 | |
| dc.description | 修士（理学）, 2022, 基礎理工学専攻 | |
| dc.identifier.uri | /sigma_local/handle/10721/13979 | |
| dc.language | ja | |
| dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | |
| dc.subject | ヒ化ガリウム | ja |
| dc.subject | ラマン分光法 | ja |
| dc.subject | 化合物半導体 | ja |
| dc.subject | その場測定 | ja |
| dc.subject | 熱酸化 | ja |
| dc.subject | gallium arsenide | en |
| dc.subject | Raman spectroscopy | en |
| dc.subject | compound semiconductor | en |
| dc.subject | in situ measurement | en |
| dc.subject | thermal oxidation | en |
| dc.title | その場ラマン分光法によるヒ化ガリウム基板表面の酸化過程の研究 | |
| dc.title.alternative | Study of Oxidation Process on the Surface of Gallium Arsenide Substrates by In Situ Raman Spectroscopy | |
| dc.type | 学位論文 |