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Si(100)基板上GaNの結晶成長及び評価に関する研究

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タイトル: Si(100)基板上GaNの結晶成長及び評価に関する研究
著者: Nishimura, Suzuka / 西村, 鈴香
記述: 博士 (工学), 2002年度, 総合デザイン工学専攻
URI: http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/1794
日付: 2003-03-03


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