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Experimental Study of the Behavior of Point Defects and Dopants in Silicon using Isotope Superlattices

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dc.contributor.author Shimizu, Yasuo / 清水, 康雄 en_US
dc.date.accessioned 2014-05-09T07:08:24Z
dc.date.available 2014-05-09T07:08:24Z
dc.date.issued 2009-03-23 en_US
dc.identifier.uri http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/2304
dc.description 博士(工学), 2008, 基礎理工学 en_US
dc.publisher 慶應義塾大学理工学研究科 en_US
dc.subject シリコン ja
dc.subject 同位体 ja
dc.subject 超格子 ja
dc.subject イオン注入 ja
dc.subject 拡散 ja
dc.subject Silicon en
dc.subject Isotopes en
dc.subject Superlattices en
dc.subject Ion implantation en
dc.subject Diffusion en
dc.title Experimental Study of the Behavior of Point Defects and Dopants in Silicon using Isotope Superlattices en_US
dc.title.alternative 同位体超格子を用いたシリコン中の点欠陥と不純物の挙動に関する実験的研究 en_US
dc.type 学位論文 en_US
dc.contributor.authorfulldescription Shimizu, Yasuo / 清水, 康雄 / シミズ, ヤスオ en_US


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