Experimental Study of the Behavior of Point Defects and Dopants in Silicon using Isotope Superlattices
Loading...
Date
2009-03-23
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
博士（工学）, 2008, 基礎理工学
Keywords
シリコン, 同位体, 超格子, イオン注入, 拡散, Silicon, Isotopes, Superlattices, Ion implantation, Diffusion