Experimental Study of the Behavior of Point Defects and Dopants in Silicon using Isotope Superlattices
dc.contributor.author | Shimizu, Yasuo / 清水, 康雄 | en_US |
dc.contributor.authorfulldescription | Shimizu, Yasuo / 清水, 康雄 / シミズ, ヤスオ | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-05-09T07:08:24Z | |
dc.date.available | 2014-05-09T07:08:24Z | |
dc.date.issued | 2009-03-23 | en_US |
dc.description | 博士(工学), 2008, 基礎理工学 | en_US |
dc.identifier.uri | http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/2304 | |
dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | en_US |
dc.subject | シリコン | ja |
dc.subject | 同位体 | ja |
dc.subject | 超格子 | ja |
dc.subject | イオン注入 | ja |
dc.subject | 拡散 | ja |
dc.subject | Silicon | en |
dc.subject | Isotopes | en |
dc.subject | Superlattices | en |
dc.subject | Ion implantation | en |
dc.subject | Diffusion | en |
dc.title | Experimental Study of the Behavior of Point Defects and Dopants in Silicon using Isotope Superlattices | en_US |
dc.title.alternative | 同位体超格子を用いたシリコン中の点欠陥と不純物の挙動に関する実験的研究 | en_US |
dc.type | 学位論文 | en_US |