Si(100)基板上リン化ホウ素の結晶構造と電気的特性
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Date
2013-03-23
Authors
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Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
博士(工学), 2012, 総合デザイン工学専攻
Keywords
リン化ホウ素, ヘテロユピタキシー, Ⅲ-Ⅴ化合物半導体, boron phosphide, heteroepitaxy, Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor, ohmic