Si(100)基板上リン化ホウ素の結晶構造と電気的特性

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2013-03-23

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慶應義塾大学理工学研究科

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博士(工学), 2012, 総合デザイン工学専攻

Keywords

リン化ホウ素, ヘテロユピタキシー, Ⅲ-Ⅴ化合物半導体, boron phosphide, heteroepitaxy, Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor, ohmic

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