高分解能フォトルミネッセンスによる天然シリコン基板上に成長された28Si同位体エピ膜の歪み測定
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Date
2005-03-23
Authors
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Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
修士（工学）, 2004, 基礎理工学専攻
Keywords
同位体シリコン, 格子定数, 歪み, 高分解能フォトルミネッセンス, isotopically pure silicon, lattice constant, strain high-resolution, photoluminescence