同位体30Sを用いた高濃度Bドープ中のSi自己拡散(Ⅱ)
Loading...
Date
2005-03-23
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
修士（工学）, 2004, 総合デザイン工学専攻
Keywords
Si self-diffusion, Si lsotopes, high concentration doping, Si自己拡散, Si同位体, 高濃度ドーピング