フェムト秒レーザパルスを用いた化合物半導体の欠陥分布計測に関する研究
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Date
2005-03-23
Authors
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Publisher
慶應義塾大学理工学研究科
Abstract
Description
修士（工学）, 2004, 総合デザイン工学専攻
Keywords
フェムト秒レーザパルス, ポンプ・プローブ法, 化合物半導体, 欠陥分布, femtosecond laser pulse, pump-probe measurement, compound semiconductor, defect profile