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Si(100)基板上GaNの結晶成長及び評価に関する研究
| dc.contributor.author | Nishimura, Suzuka / 西村, 鈴香 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-05-09T07:06:48Z | |
| dc.date.available | 2014-05-09T07:06:48Z | |
| dc.date.issued | 2003-03-03 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/1794 | |
| dc.description | 博士 (工学), 2002年度, 総合デザイン工学専攻 | en_US |
| dc.language | jpn | en_US |
| dc.publisher | 慶應義塾大学理工学研究科 | en_US |
| dc.title | Si(100)基板上GaNの結晶成長及び評価に関する研究 | en_US |
| dc.title.alternative | Study of growth and evaluation of GaN on Si(1OO) | en_US |
| dc.type | 学位論文 | en_US |
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| ファイル | サイズ | フォーマット | 閲覧 |
|---|---|---|---|
| description_en.pdf | 155.7Kb | 閲覧/開く | |
| description_ja.pdf | 156.8Kb | 閲覧/開く |
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