| dc.contributor.author |
Ino, Yuji / 伊野, 裕司 |
en_US |
| dc.date.accessioned |
2014-05-09T07:09:39Z |
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| dc.date.available |
2014-05-09T07:09:39Z |
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| dc.date.issued |
2013-03-23 |
en_US |
| dc.identifier.uri |
http://iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sigma/handle/10721/2679 |
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| dc.description |
博士（工学）, 2012, 総合デザイン工学専攻 |
en_US |
| dc.publisher |
慶應義塾大学理工学研究科 |
en_US |
| dc.subject |
リン化ホウ素 |
ja |
| dc.subject |
ヘテロユピタキシー |
ja |
| dc.subject |
Ⅲ－Ⅴ化合物半導体 |
ja |
| dc.subject |
boron phosphide |
en |
| dc.subject |
heteroepitaxy |
en |
| dc.subject |
Ⅲ－Ⅴ compound semiconductor |
en |
| dc.subject |
ohmic |
en |
| dc.title |
Si(100)基板上リン化ホウ素の結晶構造と電気的特性 |
en_US |
| dc.type |
学位論文 |
en_US |
